![]() |
Модуль памяти AMD R9416G3000U2S (DDR4 16Gb 3000MHz)
Тип памяти: DDR4; Объем: 1 модуль 16 Гб; Тактовая частота: 3000 МГц; Пропускная способность: 24000 Мб/с; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; CAS Latency (CL): 15; Кол-во модулей в комплекте: 1; Напряжение питания: 1.2 В; ;
|
14 470
|
Купить |
![]() |
Модуль памяти AMD R7416G2133U2K (DDR4 16 Gb, 2133 MHz, 2 x 8 Gb)
Тип памяти: DDR4; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 15; Напряжение питания: 1.2 В; Радиатор: есть; ;
|
13 835
|
Купить |
![]() |
Модуль памяти AMD DDR3 Gamer Series R9316G2130U2K 2x8Gb
Тип памяти: DDR3; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 30; Напряжение питания:…
|
13 015
|
Купить |
![]() |
Модуль памяти AMD DDR4 R7416G2606U2K 16Gb
Тип памяти: DDR4; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Тактовая частота: 2666 МГц; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 16; Напряжение питания: 1.2 В; Радиатор: есть; ;
|
12 815
|
Купить |
![]() |
Модуль памяти AMD R748G2133U1K (2x4Gb) Performance Series
Тип памяти: DDR4; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 36; Напряжение питания: 1.2 В; Радиатор: есть; ;
|
7 695
|
Купить |
![]() |
Модуль памяти AMD R938G2130U2S DDR3 8192Mb 2133MHz
Тип памяти: DDR3; Объем: 1 модуль 8 Гб; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 30; Напряжение питания: 1.5 - 1.65 В; Радиатор: есть; ;
|
6 555
|
Купить |
![]() |
Модуль памяти AMD R748G2606U2S (8192 Mb, 2666 MHz) )
Тип памяти: DDR4; Объем: 1 модуль 8 Гб; Тактовая частота: 2666 МГц; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 16; RAS to CAS Delay (tRCD): 18; Row Precharge Delay (tRP): 18; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35; Напряжение питания: 1.2 В; Радиатор: есть; ;
|
6 400
|
Купить |
![]() |
Модуль памяти AMD R748G2400U2S-UO 8192Mb
Тип памяти: DDR4; Объем: 8 Гб; Тактовая частота: 2400 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 16; RAS to CAS Delay (tRCD): 16; Row Precharge Delay (tRP): 16; Activate to Precharge Delay (tRAS): 36; Напряжение питания: 1.2 В; ;
|
6 100
|
Купить |
![]() |
Модуль памяти AMD R748G2400U2S-O
Тип памяти: DDR4; Объем: 1 модуль 8 Гб; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 36; Назначение: для…
|
6 005
|
Купить |
![]() скидка |
Модуль памяти AMD DDR4 8192Mb 2133MHz DIMM (R748G2133U2S-U)
Тип памяти: DDR4; Объем: 1 модуль 8 Гб; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35; ;
|
5 775 – 6 155
|