|
Модуль памяти AMD R9416G3000U2S (DDR4 16Gb 3000MHz)
Тип памяти: DDR4; Объем: 1 модуль 16 Гб; Тактовая частота: 3000 МГц; Пропускная способность: 24000 Мб/с; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; CAS Latency (CL): 15; Кол-во модулей в комплекте: 1; Напряжение питания: 1.2 В; ;
|
14 935
|
| Купить |
15%скидка |
Модуль памяти AMD R7416G2133U2K (DDR4 16 Gb, 2133 MHz, 2 x 8 Gb)
Тип памяти: DDR4; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 15; Напряжение питания: 1.2 В; Радиатор: есть; ;
|
11 545
|
|
Модуль памяти AMD R748G2133U1K (2x4Gb) Performance Series
Тип памяти: DDR4; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 36; Напряжение питания: 1.2 В; Радиатор: есть; ;
|
6 905
|
| Купить |
|
Модуль памяти AMD DDR4 8192Mb 2133MHz DIMM (R748G2133U2S-U)
Тип памяти: DDR4; Объем: 1 модуль 8 Гб; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35; ;
|
6 210 – 6 545
|
| Купить |
|
Модуль памяти AMD R938G2130U1K (DDR3 8192 Mb DIMM, 2133 MHz)
Тип памяти: DDR3; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge…
|
6 340
|
| Купить |
|
Модуль памяти AMD DDR4 8192Mb 2133MHz R748G2133U2S-UO
Тип памяти: DDR4; Объем: 1 модуль 8 Гб; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35; ;
|
5 995
|
| Купить |
|
Модуль памяти AMD R748G2400U2S-UO 8192Mb
Тип памяти: DDR4; Объем: 8 Гб; Тактовая частота: 2400 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 16; RAS to CAS Delay (tRCD): 16; Row Precharge Delay (tRP): 16; Activate to Precharge Delay (tRAS): 36; Напряжение питания: 1.2 В; ;
|
5 570
|
| Купить |
|
Модуль памяти AMD DDR3 8192Mb 1600MHz (R538G1601U2S-UO)
Тип памяти: DDR3; Объем: 1 модуль 8 Гб; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Напряжение питания: 1.5 В; ;
|
4 455
|
| Купить |
|
Модуль памяти AMD DDR3 4096Mb 2133MHz (R934G2130U1S)
Тип памяти: DDR3; Объем: 1 модуль 4 Гб; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 30; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; ;
|
3 750
|
| Купить |
|
Модуль памяти AMD DDR3 R5 Entertainment Series Black R538G1601U2SL-UO
Тип памяти: DDR3L; Объем: 1 модуль 8 Гб; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка XMP: нет; CAS Latency (CL): 11; Напряжение питания: 1.35 В; ;
|
3 710
|
| Купить |